SCT3080KRC14

Rohm Semiconductor

Producto No:

SCT3080KRC14

Fabricante:

Paquete:

TO-247-4L

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 698

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	785 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 18 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 10A, 18V
Supplier Device Package	TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 5mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	165W
Package / Case	TO-247-4
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	31A (Tc)
Vgs (Max)	+22V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Package	Tube
Base Product Number	SCT3080