SI2367DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI2367DS-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

SOT-23-3 (TO-236)

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	561 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.8A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI2367