SI4599DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI4599DY-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

8-SOIC

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Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Series	TrenchFET®
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	3W, 3.1W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.8A, 5.8A
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4599