SI5468DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SI5468DC-T1-GE3

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1206-8 ChipFET™

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Descripción:

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	435 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package	1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI5468