SIB422EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIB422EDK-T1-GE3

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PowerPAK® SC-75-6

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Descripción:

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-75-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-75-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIB422