SIHH24N65E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIHH24N65E-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® 8 x 8

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2814 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	116 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 8 x 8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	202W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIHH24