SIHP23N60E-BE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIHP23N60E-BE3

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Paquete:

TO-220AB

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Descripción:

N-CHANNEL 600V

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2418 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	158mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	227W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube