SIS903DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIS903DN-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® 1212-8 Dual

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : Por favor investigación

Por favor envíe RFQ, responderemos inmediatamente.

Nombre de contacto

Correo electrónico

Nombre de la empresa

País

Cantidad

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 P-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Series	TrenchFET® Gen III
Package / Case	PowerPAK® 1212-8 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIS903