SISS23DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SISS23DN-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

PowerPAK® 1212-8S

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 6254

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-50°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISS23