SISS5710DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SISS5710DN-T1-GE3

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PowerPAK® 1212-8S

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N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	770 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	4.1W (Ta), 54.3W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.2A (Ta), 26.2A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)