SPB80N03S2L05

Infineon Technologies

Producto No:

SPB80N03S2L05

Fabricante:

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PG-TO263-2

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Descripción:

80A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3320 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	89.7 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO263-2
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 110µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	CoolMOS™
Power Dissipation (Max)	167W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk