SQJB68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQJB68EP-T1_GE3

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Descripción:

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	92mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package / Case	PowerPAK® SO-8 Dual
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	27W
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQJB68