SQS411ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SQS411ENW-T1_GE3

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PowerPAK® 1212-8W

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Descripción:

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3191 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27.3mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8W
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	39.5W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8W
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQS411