SSM6K781G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

SSM6K781G,LF

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6-WCSPC (1.5x1.0)

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MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package	6-WCSPC (1.5x1.0)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	U-MOSVII-H
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)
Package / Case	6-UFBGA, WLCSP
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6K781