SSM6N7002BFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

SSM6N7002BFE,LM

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Paquete:

ES6

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Descripción:

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	ES6
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	-
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	150mW
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6N7002