STP11NM65N

STMicroelectronics

Producto No:

STP11NM65N

Fabricante:

Paquete:

TO-220

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	455mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	MDmesh™ II
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	STMicroelectronics
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	STP11N