SUD35N10-26P-E3

Vishay Siliconix

Producto No:

SUD35N10-26P-E3

Fabricante:

Paquete:

TO-252AA

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 35A TO252

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 449

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package	TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	8.3W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SUD35