TK090U65Z,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

TK090U65Z,RQ

Fabricante:

Paquete:

TOLL

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 3951

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.27mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	DTMOSVI
Power Dissipation (Max)	230W (Tc)
Package / Case	8-PowerSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)