TK22V65X5,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

TK22V65X5,LQ

Fabricante:

Paquete:

4-DFN-EP (8x8)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 2500

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	150°C
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	DTMOSIV-H
Power Dissipation (Max)	180W (Tc)
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)