TRS2E65H,S1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

TRS2E65H,S1Q

Fabricante:

Paquete:

TO-220-2L

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

G3 SIC-SBD 650V 2A TO-220-2L

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 300

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	135pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220-2L
Current - Reverse Leakage @ Vr	40 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 2 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	2A