TRS4V65H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

TRS4V65H,LQ

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4-DFN-EP (8x8)

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G3 SIC-SBD 650V 4A DFN8X8

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	263pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr	55 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.34 V @ 4 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	4A