TRS8V65H,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Producto No:

TRS8V65H,LQ

Fabricante:

Paquete:

4-DFN-EP (8x8)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

G3 SIC-SBD 650V 8A DFN8X8

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 5000

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	520pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Current - Reverse Leakage @ Vr	90 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 8 A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction	175°C
Current - Average Rectified (Io)	8A