UPA2680T1E-E2-AT

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

UPA2680T1E-E2-AT

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6-MLP (3x3)

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MOSFET N-CH 20V 3A 6MLP

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FET Feature	Schottky Diode (Isolated)
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.1 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	6-MLP (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Package / Case	6-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)
Package	Bulk