UPA2802T1L-E2-AY

Renesas Electronics America Inc

Producto No:

UPA2802T1L-E2-AY

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8-DFN3333 (3.3x3.3)

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MOSFET N-CH 20V 18A 8DFN

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FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Package / Case	8-VDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Package	Bulk