VMO650-01F

IXYS

Producto No:

VMO650-01F

Fabricante:

Paquete:

Y3-DCB

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	59000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2300 nC @ 10 V
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	Y3-DCB
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 130mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	HiPerFET™
Power Dissipation (Max)	2500W (Tc)
Package / Case	Y3-DCB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	690A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	VMO650