IRFI520N

Infineon Technologies

Producto No:

IRFI520N

Fabricante:

Paquete:

PG-TO220-FP

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220AB FP

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 4.3A, 10V
Supplier Device Package	PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	HEXFET®
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube