SIE820DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Producto No:

SIE820DF-T1-GE3

Fabricante:

Paquete:

10-PolarPAK® (S)

Lote:

Ficha de datos:

Descripción:

MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK

Cantidad:

Entrega:

Pago:

En stock : 730

Mínimo: 1 Múltiplos: 1

Qty

Precio unitario

Precio Ext

¿No es el precio que quieres? Envíe RFQ ahora y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	143 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Supplier Device Package	10-PolarPAK® (S)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
Package / Case	10-PolarPAK® (S)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIE820