2N7002-T1-GE3

Vishay Siliconix

Prodotto No:

2N7002-T1-GE3

Produttore:

Pacchetto:

TO-236

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 60V 115MA TO236

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 5861

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 25 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	115mA (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	2N7002