2SJ665-DL-1EX

onsemi

Prodotto No:

2SJ665-DL-1EX

Produttore:

Pacchetto:

TO-263-2

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : Si prega di richiesta

Si prega di inviare RdO, risponderemo immediatamente.

Nome del contatto

E-mail

Nome della società

Paese

Quantità

Operating Temperature	150°C (TA)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package	TO-263-2
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	65W (Tc)
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	27A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Package	Bulk
Base Product Number	2SJ665