2SK3700(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Prodotto No:

2SK3700(F)

Produttore:

Pacchetto:

TO-3P(N)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 900V 5A TO3P

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)
Package	Bulk
Base Product Number	2SK3700