6A80GHB0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Prodotto No:

6A80GHB0G

Produttore:

Pacchetto:

R-6

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

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Speed	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	60pF @ 4V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	R-6
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 800 V
Series	Automotive, AEC-Q101
Package / Case	R-6, Axial
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1 V @ 6 A
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	800 V
Package	Bulk
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	6A
Base Product Number	6A80