APT20SCD120B

Microsemi Corporation

Prodotto No:

APT20SCD120B

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Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 68A

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Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	1135pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	-
Product Status	Obsolete
Supplier Device Package	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	400 µA @ 1200 V
Series	-
Package / Case	-
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 20 A
Mfr	Microsemi Corporation
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 150°C
Current - Average Rectified (Io)	68A