BSM250D17P2E004

Rohm Semiconductor

Prodotto No:

BSM250D17P2E004

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Module

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HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF

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Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Chassis Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 66mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700V (1.7kV)
Series	-
Package / Case	Module
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Power - Max	1800W (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	250A (Tc)
Package	Box
Base Product Number	BSM250