BYV30JT-600PQ

WeEn Semiconductors

Prodotto No:

BYV30JT-600PQ

Produttore:

Pacchetto:

TO-3P

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P

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Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	65 ns
Capacitance @ Vr, F	-
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-3P
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Series	-
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 30 A
Mfr	WeEn Semiconductors
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	175°C (Max)
Current - Average Rectified (Io)	30A
Base Product Number	BYV30