CDBJSC5650-G

Comchip Technology

Prodotto No:

CDBJSC5650-G

Produttore:

Pacchetto:

TO-220F

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 453

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Capacitance @ Vr, F	430pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Supplier Device Package	TO-220F
Current - Reverse Leakage @ Vr	100 µA @ 650 V
Series	-
Package / Case	TO-220-2 Full Pack
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 5 A
Mfr	Comchip Technology
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Package	Tube
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)	5A
Base Product Number	CDBJSC5650