CSD19536KTT

Texas Instruments

Prodotto No:

CSD19536KTT

Produttore:

Pacchetto:

DDPAK/TO-263-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	153 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device Package	DDPAK/TO-263-3
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	NexFET™
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Package / Case	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Texas Instruments
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	CSD19536