CSD19538Q2T

Texas Instruments

Prodotto No:

CSD19538Q2T

Produttore:

Pacchetto:

6-WSON (2x2)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	454 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	59mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	NexFET™
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Texas Instruments
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.1A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	CSD19538