DMN32D0LFB4-7B

Diodes Incorporated

Prodotto No:

DMN32D0LFB4-7B

Produttore:

Pacchetto:

X2-DFN1006-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	44.8 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 100mA, 4V
Supplier Device Package	X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)
Package / Case	3-XFDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	440mA (Ta)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMN32