DMN3730UFB4-7

Diodes Incorporated

Prodotto No:

DMN3730UFB4-7

Produttore:

Pacchetto:

X2-DFN1006-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	64.3 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460mOhm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package	X2-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	470mW (Ta)
Package / Case	3-XFDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	750mA (Ta)
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	DMN3730