DMTH8001STLWQ-13

Diodes Incorporated

Prodotto No:

DMTH8001STLWQ-13

Produttore:

Pacchetto:

POWERDI1012-8

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8894 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	138 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	POWERDI1012-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	6W (Ta), 250W (Tc)
Package / Case	8-PowerSFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	270A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)