FCH041N65EFL4

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

FCH041N65EFL4

Produttore:

Pacchetto:

TO-247-4

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	12560 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	298 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 38A, 10V
Supplier Device Package	TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	FRFET®, SuperFET® II
Power Dissipation (Max)	595W (Tc)
Package / Case	TO-247-4
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	76A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk