FDMS4435BZ

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

FDMS4435BZ

Produttore:

Pacchetto:

8-PQFN (5x6)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta), 18A (Tc)
Vgs (Max)	±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Bulk