FDP3672

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

FDP3672

Produttore:

Pacchetto:

TO-220-3

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 41A, 10V
Supplier Device Package	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	105 V
Series	PowerTrench®
Power Dissipation (Max)	135W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.9A (Ta), 41A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Bulk