FQA9N90-F109

Fairchild Semiconductor

Prodotto No:

FQA9N90-F109

Produttore:

Pacchetto:

TO-3PN

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 398

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Supplier Device Package	TO-3PN
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	QFET®
Power Dissipation (Max)	240W (Tc)
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Fairchild Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.6A (Tc)
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	FQA9