G10N10A

Goford Semiconductor

Prodotto No:

G10N10A

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	690 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	28W (Ta)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)