G12P10KE

Goford Semiconductor

Prodotto No:

G12P10KE

Produttore:

Pacchetto:

TO-252

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

P-100V,ESD,-12A,RD(MAX)<200M@-10

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 1894

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1720 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package	TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	G
Power Dissipation (Max)	57W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)