G20N03D2

Goford Semiconductor

Prodotto No:

G20N03D2

Produttore:

Pacchetto:

6-DFN (2x2)

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	873 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	6-DFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Tc)
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Tc)
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)