G250N03IE

Goford Semiconductor

Prodotto No:

G250N03IE

Produttore:

Pacchetto:

SOT-23-6L

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

N30V,ESD 5.3A,RD<25M@10V,VTH0.5V

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 3000

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	573 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.1 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-6L
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.4W (Tc)
Package / Case	SOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.3A (Tc)
Vgs (Max)	±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)