G29

Goford Semiconductor

Prodotto No:

G29

Produttore:

Pacchetto:

SOT-23

Batch:

Scheda tecnica:

Descrizione:

P15V,RD(MAX)<30M@-4.5V,RD(MAX)<4

Quantità:

Consegna:

Pagamento:

In magazzino : 12984

Minimo: 1 Multipli: 1

Qty

Prezzo unitario

Prezzo Ext

Non è il prezzo che vuoi? Invia RdO ora e ti contatteremo al più presto.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1151 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.5 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1W
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Mfr	Goford Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A
Vgs (Max)	±12V
Package	Tape & Reel (TR)