GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor

Prodotto No:

GA10JT12-263

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TRANS SJT 1200V 25A

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Operating Temperature	175°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Supplier Device Package	-
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	170W (Tc)
Package / Case	-
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Mfr	GeneSiC Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
Vgs (Max)	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Package	Tube
Base Product Number	GA10JT12